雪崩二极管击穿电压（雪崩二极管引脚）
本文目录一览：
击穿电压是怎样的
1、击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。
2、击穿电压定义：击穿电压是指在电场作用下，电介质失去绝缘性能而转变为导体的电压阈值。 击穿现象：在强电场影响下，固体电介质会由绝缘状态突变为良导电状态，这一过程称为击穿。 击穿电压与场强关系：在均匀电场中，击穿电压与电介质厚度的比值称为击穿电场强度，它反映了电介质的耐电强度。
3、击穿电压，是一种衡量二极管性能的重要指标，它指的是在指定反向击穿电流下的击穿电压。具体而言，齐纳二极管的额定击穿电压一般位于9V～7V之间，而雪崩二极管的则通常在6V～200V范围内。击穿电压是二极管在工作时承受的最大电压值，一旦超过这一值，二极管可能会发生损坏。
4、击穿电压是指电介质在强电场作用下丧失其绝缘性能，转变为导体状态时所对应的电压。在强电场的作用下，固体电介质会丧失其绝缘特性，从绝缘状态突变为良好的导电状态，这个过程称为电介质击穿。击穿电压是这种击穿现象的临界电压。
齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数
1、为了达到碰撞电离的速度，我们需要提高外加电压，即增加加速度，从而使雪崩击穿电压增大。综上所述，温度升高会导致雪崩击穿电压增大，因此具有正温度系数。
2、齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。
3、当反向电压足够大时，PN节的内电场加强，使少子漂移速度加快，动能增大，通过空间电荷区与原子相撞，产生很多的新电子—空穴对，这些新产生的电子又会去撞击更多的原子，这种作用如同雪崩一样，使电流急剧增加，故这种击穿被称为雪崩击穿。
4、对于雪崩击穿，温度升高，电子的平均有时间减小，即更容易发生碰撞散射。但是，由于雪崩击穿是由于具有足够大的能量的载流子碰撞发生的。所以，需要增加外加电压，在加速时间减小的前提下，才能达到雪崩击穿的能量。所以，雪崩击穿的击穿电压是正温度系数。
半导体功率MOSFET雪崩效应的详解;
1、功率MOSFET的体二极管设计用于在关断状态下阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的雪崩击穿现象是指反向偏置体二极管两端的电场导致漏极和源极端子之间产生大量电流流动。典型阻断状态下的漏电流范围为几十皮安到几百纳安。根据电路条件，雪崩、MOSFET漏极或源极中的电流范围可以从微安到数百安。
2、雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。该电流将耗散功率，使器件的温度升高，并可能导致器件损坏。半导体公司都会对器件进行雪崩测试，计算其雪崩电压，或对器件的稳健性进行测试。计算额外雪崩电压有两种方法；一是统计法，另一是热计算。
3、当二极管承受反向电压时，截止特性表现为缓慢上升的截止电流，在特定电压下出现陡升导致击穿。击穿效应有齐纳效应和雪崩效应。功率二极管的动态特性包括开通和关断特性。开通特性中，电压逐渐增加，电流随之上升，达到峰值电压后正向电流饱和。
问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?
PN结反向击穿现象包括齐纳击穿和雪崩击穿，通常这两种击穿会同时发生。 在电压低于5至6伏特时，齐纳击穿占主导地位，而电压超过这个范围时，雪崩击穿成为主要因素。
发生的位置不同：雪崩击穿主要发生在高电场强度下，而齐纳击穿则发生在低电场强度下。产生的机理不同：雪崩击穿是电子与原子碰撞导致空穴和自由电子同时增加而产生设防的，而齐纳击穿则是由于电子被电场加速达到碰撞离子的离子化能力而发生。
性质不同 雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。齐纳击穿：由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。
齐纳击穿和雪崩击穿的主要区别在于它们发生的位置、机理以及特点。首先，从发生位置上看，齐纳击穿主要发生在低电场强度下，特别是在掺杂浓度较高的PN结中，由于阻挡层较薄，只需较小的反向电压就能引发强电场，进而发生击穿。
