反向电压击穿电压（反向击穿电压公式）
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栅氧的正向和反向击穿电压的区别
击穿机理不同：正向击穿电压是由于栅氧层中的电荷分布不均匀，导致局部电场强度过大，引起栅氧层击穿。而反向击穿电压是由于栅氧层中的陷阱电荷积累，导致电场增强，引起栅氧层击穿。击穿电压的大小不同：一般情况下，正向击穿电压比反向击穿电压低。
不是。栅氧的击穿电压是比漏极衬底结或源极衬底结的击穿电压低。不是栅源电压。一般工艺上给出的是栅氧和P阱或栅氧和N阱的击穿电压。栅源电压：栅极和源极两端的电压。
功率MOSFET的直流特性深受温度影响。以N沟道MOSFET为例，其关键参数如击穿电压BV、导通电阻Rdson、阈值电压Vth、反偏漏电流Ids和体二极管正向导通电压Vsd，均表现出显著的温度依赖性。BV，即漏源间体二极管在雪崩击穿时的电压，工业测试通常设定在栅极电压为0，漏源电流1mA或250uA时。
在芯片制造过程中，MOS管的栅氧化层上连接导体，进行离子刻蚀时，导体像天线收集电荷，导致电压过高，击穿MOS管的栅氧层，这就是天线效应。天线效应发生于芯片制造过程，仅在离子刻蚀时，悬空导体吸收带电粒子产生电压。
SBD因其较低的结势垒高度，具有低正向电压的优势，能将SBD的应用范围从250V提升至1200V。同时，其高温特性好，从室温到由管壳限定的175℃，反向漏电流几乎没有增加。在3kV以上的整流器应用领域，SiCPiN和SiCJBS二极管凭借其更高的击穿电压、更快的开关速度以及更小的体积和更轻的重量而备受关注。
SiC JBS通过优化结构显著降低漏电流和提高击穿电压，适合阻断电压低于3kV的应用。SiC MPS则侧重改善正向特性，通过设计和工艺改进，浪涌电流能力普遍达到额定电流的10倍以上，英飞凌的SiC MPS可达18倍。SiC沟槽型SBD降低肖特基结电场，进一步减小反向漏电流，但会产生严重的JFET效应。
三极管四种反向击穿电压的解释
1、V（BR）CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。（2） V（BR）CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。 此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V（BR）CEO。
2、“ 如果每个脚都两两加压，一共有6种解（接）法 ”---这6种接法中有3种接法是正向接法，不存在“反向击穿”的说法，另3种接法属于反向接法，如下：三极管的参数中，有三个“击穿电压”，不同型号的管子的数值不同：BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。
3、加在发射极e和基极b之间使三极管发生反向击穿的电压叫Uebo。
反向击穿电压ubr的名词解释
反向击穿电压（UBR）是半导体器件中的一个关键参数，它指的是在器件两端施加反向电压时，导致器件突然导通并伴随电流急剧增大的电压阈值。具体而言，当反向电压超过UBR时，原本处于截止状态的半导体器件（如二极管、晶闸管等）会突然转变为导通状态，电流迅速增大，而电压则急剧下降，这一现象称为反向击穿。
反向击穿电压ubr的名词解释：当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。UBR是英文breakingreversevoltage的缩写，中文意思是可使毁坏的反向电压，就是反向击穿电压。二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。
反向击穿电压（UBR）是二极管等电子元件在反向极性下，电流突然增大的起始电压。当二极管反向偏置时，其电阻高，仅有微量反向电流。但当反向电压增大至一定值时，电流会迅速上升，导致元件被击穿。反向击穿电压即为击穿发生的电压值，是衡量元件可靠性和稳定性的关键参数。
二极管反向击穿电压是指
1、二极管反向击穿电压是指二极管在反向电压作用下，发生击穿现象时的电压值。二极管是一种具有单向导电性的半导体器件，它只允许电流从一个方向流过。当二极管正向偏置时，电流可以顺畅通过。然而，当二极管反向偏置时，理论上应该是不导电的，只有极小的反向漏电流。
2、二极管反向击穿是指在二极管的反向偏压（即PN结的正向和反向）达到一定值时，经过增加偏压，二极管导通电流增加。反向击穿电压是指二极管在反向偏压下导通所需的最小电压值。当反向偏压超过了反向击穿电压时，二极管就会导通，此时叫做反向击穿。
3、二极管的击穿电压是指当二极管两端的反向电压增大到一定程度时，反向电流会急剧增大，导致二极管失去单向导电特性。 二极管在正向偏置下工作，即正极连接到高电位，负极连接到低电位。在这种状态下，二极管导通，正向压降基本保持不变，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。
为何三极管击穿后反向击穿电压增大呢?
1、首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。所以整个来看就有BVcboBVceoBVebo。
2、因为三极管的击穿电压相比于二极管要大了五倍，三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，希望我的回答对你有帮助。
3、V（BR）CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。（2） V（BR）CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。 此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V（BR）CEO。
4、三极管的软击穿 击穿时PN结的温度上升，如果还没有破坏PN结的结构，则造成击穿的条件去除后，PN结的功能能够得到恢复或部分恢复，就可认为不是硬击穿或称为软击穿。三极管的硬击穿 若温度上升太高，PN结的结构完全破坏，击穿的条件去除后，PN结的功能就不能得到恢复，这种击穿称为硬击穿。
