硅管的死区电压（二极管中硅管的死区电压是多少）
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什么是死区电压?
死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。当外加正向电压Uk很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。
死区电压是指在电力系统的开关设备中，由于触点接触不良或机械传动等原因而产生的一种特殊现象。是指在开关操作时，当一个触点处于断开状态，另一个触点刚接触时，两个触点之间会存在一个很短的时间间隔，这个时间间隔被称为死区时间，也伴随着一个死区电压。
死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压。死区电压本质上也就是二极管的开启电压。
从供电电压经过零点直至波形残缺消失的这段电压即为死区电压。本质上，死区电压可以视为二极管的开启电压。当向二极管施加正向电压时，二极管会产生正向电流。但在正向电压较低的情况下，外加电场无法克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，此时正向电流非常微小，二极管呈现高电阻状态。
二极管的死区电压是指二极管在正向偏置时，其正向电压达到一定程度后才开始导通的电压值。以下是关于二极管死区电压的 死区电压的基本概念 在电子学中，二极管的死区电压是与二极管性能特性紧密相关的一个重要参数。
Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
硅的死区电压和导通电压分别是多少V
硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.5V，锗管是0.1V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.6~0.7V，锗管是0.2-0.3V。
硅二极管的死区电压通常为0.5伏，这是指二极管从截止状态转换到导通状态所需的最小正向电压。当二极管的正向电压达到0.7伏时，二极管开始导通，此时的电压被称为导通压降。相比之下，锗二极管的死区电压较低，一般为0.1伏。这意味着锗二极管在较低的正向电压下就能从截止状态转变为导通状态。
Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。
一般来说，小功率硅二极管的死区电压大概是0.5V，导通电压为0.6-0.7V，反向饱和电流一般是uA这个数量级。
常温下硅管在死区电压是多少?导通电压降约为多少?
1、一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。
2、硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
3、硅二极管的死区电压通常为0.5伏，这是指二极管从截止状态转换到导通状态所需的最小正向电压。当二极管的正向电压达到0.7伏时，二极管开始导通，此时的电压被称为导通压降。相比之下，锗二极管的死区电压较低，一般为0.1伏。这意味着锗二极管在较低的正向电压下就能从截止状态转变为导通状态。
4、它具有单向导电性，当外加正向电压很低时，正向电流很小，几乎为零。当正向电压超过一定数值后，电流增长得很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压或开启电压，其大小与材料及环境温度有关。通常，硅管的死区电压为0.5V，锗管约为0.1V。
5、硅管的死区电压为0.5V，这是指三极管基极到发射极的正向电压，即Ube，如下图的输入特性曲线所示。三极管的导通是靠Ube的大小来控制的，从0V逐渐增加到0.5V，三极管一直处于截止状态，所以称0.5Ⅴ为死区电压。
