硅管正向导通电压（硅二极管的正向导通压降比）

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当三极管正常放大时,发射结的正向导通压降变化不大.小功率硅管约为...

普通硅三极管，不管大功率小功率，基级-射级PN结的正向导通电压为0.6～0.8伏，（锗管为0.2～0.3伏）位于伏安特性曲线的线性段中点。在实际各种放大器电路里，一般前置级为0.6伏，末级功放级为0.7伏，是最佳值，这样管子工作时静态电流不大也不小，发热不大，信号也不失真。

截止失真：当Q点过低时，在输入信号负半周靠近峰值的某段时间内，晶体管b-e间电压总量小于其开启电压，此时，晶体管截止，因此，基极电流将产生底部失真。

对于放大状态，发射结正偏，压降大约为零点几伏（硅管约为0.7V，锗管约为 0.3V），集电结反偏，反偏时几乎没有电流流过（只有很小的漏电流流过），集电结的压降就是集电极与基极之间的电压，一般都在1V以上。所以说，三极管工作在放大状态时，集电结的压降大于发射结的压降。

硅管导通电压为多少v

硅管的导通电压通常设定为0.7V，这一数值取决于硅半导体材料的掺杂浓度及其制造工艺。 在硅杂质半导体中，PN结的内建电场电压约为0.7V，因此，为了使硅管导通，需要施加一个反向电压，其值也通常是0.7V。

硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。

导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V。正向电阻不同硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。热稳定性不同硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。材料不同硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。

对于硅管而言，这个值通常在0.5到0.7伏之间，而锗管的导通电压则在0.2到0.3伏之间。这意味着，当外加电压低于这些数值时，硅管和锗管都处于截止状态，即电流无法通过。一旦电压超过这些数值，三极管就会开始导通，电流通过其基极-发射极之间的路径，实现信号的放大或开关功能。

半导体二极管的导通电压在不同的类型间存在显著差异。锗二极管的正向导通电压范围为0.2至0.3伏特，而硅二极管则为0.5至0.7伏特，适用于一般用途。硅整流管的导通电压稍高，大约在1至2伏特之间。相比之下，肖特基二极管的导通电压较低，大致在0.3至1伏特范围内。

正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。

二极管的导通条件是什么

1、二极管导通条件是：给予正向电压，并且大于二极管的导通电压。二极管外加正向电压。外加反向电压无法导通的。加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。

2、二极管的导通条件是正极连接正电压，负极连接负电压。 二极管根据材料不同，分为硅二极管和锗二极管，硅二极管的导通电压约为0.7伏，锗二极管的导通电压约为0.3伏。 当二极管两端的正向电压低于导通电压时，二极管不导电。 要使二极管导通，需要在其两端施加足够大的正向电压。

3、二极管正向导通的条件是：给与正向电压，并且大于二极管的导通电压。0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V），导通后二极管两端的电压基本上保持不变。二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。

4、判断二极管导通的条件是两端电位差小，即阳极电位稍高于阴极电位。 二极管截止的条件是两端电位差大，即阳极电位显著低于阴极电位。 在断开状态下，通过测量二极管两端的电位来判断其状态。如果阳极电位高于阴极电位，二极管导通；如果阳极电位低于阴极电位，二极管截止。

半导体二极管(硅管)的导通电压是多少

半导体二极管的导通电压在不同的类型间存在显著差异。锗二极管的正向导通电压范围为0.2至0.3伏特，而硅二极管则为0.5至0.7伏特，适用于一般用途。硅整流管的导通电压稍高，大约在1至2伏特之间。相比之下，肖特基二极管的导通电压较低，大致在0.3至1伏特范围内。

正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。

硅管：硅二极管的导通电压通常在0.6-0.7伏特之间，这是硅的固有性质决定的。硅管的稳压性能优秀，具有较高的反向电压和温度特性良好。此外，硅二极管的结电容小，频率特性好。 锗管：锗二极管的导通电压较低，一般在0.2-0.3伏特之间。

二极管正向导通的条件是：给与正向电压，并且大于二极管的导通电压。0.7V就是硅管的正向导通电压（锗管是约0.3V），导通后二极管两端的电压基本上保持不变。二极管是用半导体材料（硅、硒、锗等）制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。

锗二极管的导通压降在0.15-0.2V，硅二极管的导通压降在0.5-0.7V，肖特基二极管的导通压降在0.2-0.3V。顺便说一下，二极管的导通压降跟流过它的电流有关，流过的电流越大，该压降也越大。

导通时二极管的正向压降变化不大，硅管约为0.6～0.8V，锗管约为0.2～0.3V。温度上升，死区电压和正向压降均相应降低。UBR称为反向击穿电压，当外加反向电压低于UBR时，二极管处于反向截止区，反向电流几乎为零，但温度上升，反向电流会有增长。

硅二极管正向导通压降是多少

1、答硅二极管的正向导通压降压大约为0.6V~0.8V，。二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。 正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

2、普通硅二极管的正向压降典型值一般认为是0.7V。二极管的正向压降并不是稳定的，它受温度和电流的影响，一般情况下温度越高压降越低，电流越大压降越高；大电流整流时，二极管的正向压降甚至可以达到1V；而通过微安级小电流时，压降可能不足0.5V。

3、硅二极管正向导通工作压降=0.6~0.8v，反向击穿电压根据型号不同有很大差别，如：1N4001=50V、1N4002=100V、1N4003=200 V 1N4004 =400 1N4005= 600 1N4006=800v 1N4007=1000v；锗二极管正向导通工作压降=0.2~0.4v，反向击穿电压很小，一般为40V左右。

4、.6V左右；微安级，试验测量结果在20- 300微安之间。硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺：硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。

5、硅二极管在开始导通时，其起始导通电压通常在0.6至0.7V之间，但这并不是一个固定的数值。其伏安特性曲线并不完全与Y轴平行，而是具有一定的斜率，这意味着正向压降会随着工作电流的增加而增加。在实际测试中，一些2CZ和1N4000系列的硅整流二极管，在500mA的电流下，正向压降接近1V。

6、硅二极管的死区电压约为 0.6伏，正向导通压降约为0.7 伏。

三极管中硅管和锗管的区别有哪些?

1、三极管中的硅管与锗管在多个方面存在差异： 导通电压：硅管的导通电压约为0.65伏特，而锗管的导通电压在0.2至0.3伏特之间。 正向电阻：硅管的正向电阻较大，通常在几千欧姆，而锗管的正向电阻则在几百欧姆左右。 热稳定性：硅管在温度变化下的稳定性较好，而锗管的热稳定性相对较差。

2、三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0：65V锗管是0：2／0：3V，二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。

3、早期的晶体管多数是由锗单晶制成的，包括二极管和三极管。后来随着硅材料及其制造工艺的解决使得硅管得到发展和普及应用。其主要区别是结压降不同，锗管的正向压降较低约0.3伏特，硅管的正向压降较高约0.7伏特。另外，由于硅材料资源广和制造工艺适宜大规模生产所以得到广泛使用而成为电子器件的主角。