击穿电压温度系数（击穿电压计算公式）
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电压温度系数定义
半导体电压会随着温度的改变而改变，这种改变的比率被称作电压温度系数，法定计量单位为伏特每开尔文，用符号V/K表示。在中文中，该单位也可以写作“伏/开”。另外，还有常用的法定计量单位——毫伏每摄氏度，其符号为mV/℃，或写作“毫伏/℃”或“毫伏/摄氏度”。1mV/℃等于10-3V/K。
电压温度系数αvz 。电压温度系数是指稳压管受温度变化影响的系数。稳压值高于6伏的稳压管具有正温度系数，即稳压值随温度升高略有上升；稳压值低于6伏的稳压管具有负温度系数，即稳压值随温度升高略有下降；而稳压值为6伏左右的稳压管的温度系数基本为零。
电压温度系数是指电阻器、电容器、电感器等电子元器件的电压随温度变化的系数。
温度系数常以每摄氏度的电特性变化率来表示，包括电压和电流的温度系数。电压温度系数（TCV）反映二极管正向电压随温度升高而降低的趋势，以毫伏/°C为单位。例如，如果TCV为-2mV/°C，那么温度每上升1摄氏度，正向电压减少2毫伏。
电压温度系数： 温度每变化1℃，标称电压的相对变化率。 电流温度系数： 温度变化对通过电阻电流的影响，同样以相对变化表示。 电压非线性系数： 描述静态和动态电阻值的比值，反映电阻的线性度。 绝缘电阻： 电阻体与引脚之间的电绝缘性能。 静态电容量 （PF）： 压敏电阻固有的电容容量。
半导体电压随温度的变化而变化，这种变化的系数，称为电压温度系数，太阳能电池片发电原理是根据P-N结及空穴电子对原理（光生伏打效应）实现的，属于半导体，因此电池片/组件的电压也会随着温度的变化而变化。
干货分享|MOS各个参数详解
- VGS： 最大栅源电压，通常在-20V~+20V之间。- Tj： 最大工作结温，通常为150℃或175℃，设计工作条件时需避免超过此温度并留裕量。- TSTG： 存储温度范围。 静态参数 - V（BR）DSS： 漏源击穿电压。场效应管正常工作时能承受的最大漏源电压，为极限参数，加压应小于V（BR）DSS。
VGS（最大栅源电压）： 限制栅极电压以防器件过载，过高可能导致击穿。Tj（最大工作结温）： 温度过高可能影响性能，设计时需留出余地。TSTG（存储温度范围）： 确保器件在不同环境条件下的长期稳定性。静态参数：稳健的基石V（BR）DSS（漏源击穿电压）： 漏源间电压超过此值，电流会急剧增加。
MOS管的参数重要性不言而喻，包括封装、类型、耐压Vds、饱和电流Id、导通阻抗Rds与栅极阈值电压Vgs（th）等。识别MOS管的管脚，无论是NMOS还是PMOS，只要按照上图方向摆正，中间的一脚为D，左边为G，右边为S。记住单独的一脚为D，逆时针转DGS的口诀，同样适用于三极管的管脚识别，从B脚开始，逆时针123。
MOS管驱动电路基本结构：驱动信号放大后，通过驱动电阻Rg提供给MOS管驱动。Lk为驱动回路感抗，包含MOS管引脚、PCB走线感抗等。Rpd为MOS管栅源下拉电阻，主要用于电荷泄放，通常阻值为10k~几十k，对开关瞬态无显著影响。MOS管寄生电容Cgd、Cgs、Cds在开关瞬态中作用显著。
齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数
为了达到碰撞电离的速度，我们需要提高外加电压，即增加加速度，从而使雪崩击穿电压增大。综上所述，温度升高会导致雪崩击穿电压增大，因此具有正温度系数。
齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。
当反向电压足够大时，PN节的内电场加强，使少子漂移速度加快，动能增大，通过空间电荷区与原子相撞，产生很多的新电子—空穴对，这些新产生的电子又会去撞击更多的原子，这种作用如同雪崩一样，使电流急剧增加，故这种击穿被称为雪崩击穿。
对于雪崩击穿，温度升高，电子的平均有时间减小，即更容易发生碰撞散射。但是，由于雪崩击穿是由于具有足够大的能量的载流子碰撞发生的。所以，需要增加外加电压，在加速时间减小的前提下，才能达到雪崩击穿的能量。所以，雪崩击穿的击穿电压是正温度系数。
所以齐纳击穿电压随温度升高而降低，具有负的温度系数。雪崩击穿都发生在掺杂浓度较低的PN结中。这种结的阻挡层很宽，随着反向电压的增大，阻挡层内部的电场增强，通过阻挡层的载流子在电场作用下的漂移速度加快，动能增大。
电压系数
电压系数：在规定的电压范围内，电压每改变一伏，电 阻值的相对变化。由于阻值随电压增高而下降，因此，电 压系数总是负数。计算公式：α = （R2-R1） / R标（U2-U1） * 106 （ppm/V）R1 - 电阻的初始值；R2 - 电阻在温度改变后的测量值；U1 - 初始的电压；U2 - 改变后的电压。
进一步理解，电压系数与电流的关系可以解释为，当电路中电流达到最大时，电感或电容的阻碍作用最小，从而使得电压降至最小值。反之，当电流降至最小，电感或电容的阻碍作用达到最大，导致电压达到最大值。因此，当电流为最小值时，电感或电容的电压达到最大值，即电压系数最大。
理想电阻两端电压和流过其中的电流成正比，其阻值与电压无关。但实际上，电阻导电粒子具有分散性，内部存在接触电阻，因而出现非线性关系，即电流和电压并不是严格成正比，阻值随电压升高而下降。
电压温度系数=[（V2-V1）/V1]/[（T2-T1）/T1。其中，V1和V2分别表示元器件在两个不同温度下的电压值，T1和T2分别表示元器件在两个不同温度下的温度值。电压温度系数的单位通常为ppm/℃（百万分之一/摄氏度）或%/℃（百分之一/摄氏度）。
5种常见电容和10个主要电容参数
电容器主要参数包括击穿电压、额定直流工作电压、漏电流、绝缘电阻、品质因数、耗散系数、介电吸收、温度系数、等效串联电阻（ESR）以及等效串联电感（ESL）。击穿电压与额定直流工作电压定义电容器在不同条件下的工作能力，确保在交流电路中使用时，交流电压最大值不超过额定直流工作电压。
电容器主要参数包括击穿电压与额定直流工作电压、漏电流、绝缘电阻、品质因数、耗散系数、介电吸收、温度系数、等效串联电阻（ESR）、等效串联电感（ESL）以及纹波电流。击穿电压是指电容器两极板间绝缘介质被击穿的电压值，额定直流工作电压则是电容器能正常工作的最高直流电压。
．低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。10．小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。
工作电压，（WV）工作电压是另一个重要的电容器特性，它定义了可以在电容器工作期间无故障地施加到电容器的最大连续电压DC或AC。通常，印刷在电容器主体一侧的工作电压是指其工作电压（WVDC）。电容器的直流和交流电压值通常与交流电压值不同到公司值而不是最大值或峰值值的414倍。
常用电容有以下几种类型：瓷介电容（CT），廉价，容量小，主要用于低频电路。涤纶电容（CL），特点用途同上。独石电容（CC），很贵，容量小，性质稳定。一般用于高频电路。电解电容（CD），容量大，有正负极之分。主要用于电源电路，脉动电路。
