fdsoi电压（fragmentor 电压）
本文目录一览：
英特尔,台积电与ibm的16/14nm技术有何不同
台积电的16nm技术采用侧壁工艺形成Fin间距为48nm、栅极间距为90nm的微细图案。栅极长度“估计为25nm左右，可能没有（像英特尔那样）微细化至20nm”。台积电的论文“并未绍特性改善理由等详情，其内容让阅读的人感觉有点失望”。
第一：14/16nm是同代技术，居然有小白就认为14一定比16好，制程细微的差别其实对芯片整个芯片性能影响还不如工艺更大。第二：工艺上说，台积电的技术是自己研发的，三星则是买IBM的授权。
然而，中芯国际诉讼、金融危机下的裁员，都成为了台积电发展历程中的重要节点。手机市场崛起，特别是拿下苹果订单，让“台积电”成为全球市场的雷达小点。面对三星的挑战，从“火龙”事件到16/14纳米之争，台积电展现了坚韧与决心，甚至在英特尔3D晶体管技术上占据先机。技术飞跃的道路上，台积电并未止步。
现在无论16nm还是14nm，其实都是同一代技术，在数字上比上一代的20nm细就可以。在这一代技术上，Intel的逻辑单元明显比其他厂的细小，它自称是14nm，台积电有点厚道，知道自己的逻辑单元大一截，不好意思跟着自称14nm，所以自称是16nm。三星实际上是在偷鸡，技术上应该是28nm，之后到20nm，再到14nm。
短沟道效应类毕业论文文献都有哪些?
**期刊论文：** LDD后热处理工艺对28nm PMOSFET短沟道效应的影响，研究了热处理工艺对短沟道效应的影响，通过优化温度，显著改善了PMOSFET器件的短沟道效应，进而达到在较低剂量下达到相同阈值电压的目的。
短沟道效应的影响因素 除了沟道长度外，短沟道效应还受到其他因素的影响，如沟道宽度、栅氧化层厚度、电源电压等。这些因素的变化都会影响到短沟道效应的程度和表现方式。因此，在设计短沟道器件时，需要充分考虑这些因素，以确保器件的性能和可靠性。
英文名称：Short-channel effects解释一：短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重的程度。解释二：沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应。
短沟道效应的核心在于，当栅极下的硅区域受到源-漏极p-n结的强烈影响时，这种效应变得显著。在晶体管中，源和漏极的p-n结对栅极下的电荷分布发挥耗尽效应，直接影响着栅极对这些电荷的控制能力。随着栅极长度Lg的减小，源-漏极控制的电荷比例相应增加，这直接导致阈值电压Vt对栅长的变化变得极为敏感。
短沟道效应：缓变沟道的近似不再成立，这个二维电势分布会导致阈值电压随L的缩短而下降，亚阈值特征的降级以及由于遂穿穿透效应而使电流饱和失效，在沟道出现二维电势分布以及高电场，这些不同于长沟道MOS场效应晶体管特性的现象，统称为短沟道效应。
