fdsoi电压（fragmentor 电压） 其他 2025-01-04 10:40:50 42 本文目录一览： 1、英特尔,台积电与ibm的16/14nm技术有何不同 2、短沟道效应类毕业论文文献都有哪些? 英特尔,台积电与ibm的16/14nm技术有何不同 台积电的16nm技术采用侧壁工艺形成Fin间距为48nm、栅极间距为90nm的微细图案。栅极长度“估计为25nm左右，可能没有（像英特尔那样... 阅读全文
