崩溃电压与雪崩电压（崩溃电压是什么）

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TVS管的参数反相雪崩电压是什么意思呢?

雪崩电压就是它的击穿电压。只要电压达到雪崩电压值，TVS管就会以极快的速度提供一个瞬间大电流通道，把电压钳位在它的雪崩电压值，对整个电路起到保护作用。

TVS二极管的主要参数有：反向转折电压、击穿电压、峰值脉冲电流、箝位电压、脉冲峰值功率、结电容等。断态电压---称呼应该是反向关断电压，专业称为反向转折电压，也可说是可承受的反向电压。转折电压---楼主应该问的是击穿电压，也是反向崩溃电压。

你所指的18V是反向关断电压，也就是可承受的反向电压，这参数不是击穿电压。具体参数看如下解释：TVS（Transient Voltage Suppression）是一种限压保护器件，是利用器件的非线性特性将过电压钳位到一个较低的电压值实现对后级电路的保护。

TVS管器件的主要电参数包括以下几点：（1） 最小击穿电压VBR，指TVS流过规定电流时两端的电压。此电压在25℃时为TVS管呈低阻抗通路的阈值。低于该电压，TVS管不会发生雪崩击穿。（2） 额定反向关断电压VWM，为TVS管正常状态时可承受的电压。

TVS管的反向变位电压即工作电压（VRWM）--选择TVS的VRWM等于或大于上述步骤1所规定的操作电压。这就保证了在正常工作条件下TVS二极管吸收的电流可忽略不计，如果步骤1所规定的电压高于TVS二极管的VRWM ，TVS二极管将吸收大量的漏电流而处于雪崩击穿状态，从而影响电路的工作。

解释雪崩过程和起始电晕电压

临界电压、积雪太厚。起始电晕电压起始电晕电压又称临界电压，是开始发生电晕放电时的电压。造成雪崩的原因主要是山坡积雪太厚，积雪经阳光照射以后，表层雪 溶化。

起始电晕电压是指开始发生电晕放电的电压。3．荷电尘粒的运动和捕集 粉尘荷电后，在电场的作用F，带着不同极性电荷的尘粒分别向极性相反的电极运动，沉积并被捕集。

工作原理 在两个曲率半径相差较大的金属阳极和阴极上，通过高压直流电，维持一个足以使气体电离的电场，气体电离后所产生的电子：阴离子和阳离子，吸附在通过电场的粉尘上，使粉尘获得电荷。荷电极性不同的粉尘在电场力的作用下，分别向不同极性的电极运动，沉积在电极上，而达到粉尘和气体分离的目的。

关于汽车发电机整流桥雪崩二极管的问题

汽车发电机产生的交流电经过整流器整后变为直流电，但其波形仍然具有不规则的波动，直接影响了车辆点火的准确性；输出电压无法保持相对恒定，造成每次火花塞点火的能量差别，容易使车辆引擎抖动，出现换档顿挫、提速缓慢无力、怠速不稳以及车用空调效率低下等情形。

整流二极管利用二极管的单向导电特性将交流电源整流成脉动的直流电。因为整流二极管的正向电流较大，所以整流二极管的结构一般采用面接触式，这种结构导致整流二极管结电容较大，通常情况下整流二极管的工作频率小于3KHz。

mos管雪崩电压失效,soa电流失效重点分析及预防措施是什么?

1、在预防雪崩电压失效方面，首先，从器件层面需保留一定电压降额，一般为70%至90%。其次，从系统层面考虑，通过优化变压器反射电压、使用RCD吸收电路、合理散热、减小布线寄生电感和限制di/dt等方法，综合提升MOS管的热管理能力。

2、MOS管的失效主要集中在雪崩电压失效和安全工作区（SOA）失效两个方面，预防措施涉及降额使用、变压器优化、电路设计和散热管理。下面是对这两个重点的详细分析和建议。雪崩电压失效：MOSFET由于寄生NPN结构，当电压过高、电流大时，可能导致雪崩击穿。

3、雪崩失效分析主要关注电源板上电压叠加导致的MOSFET失效模式，通过合理设计降额、优化变压器反射电压、采用RCD及TVS吸收电路、减少布线寄生电感和选择合适的栅极电阻等手段，可以有效预防雪崩失效。SOA失效关注电源运行时异常大电流和电压叠加，导致的瞬时局部发热或持续发热超过氧化层限制的问题。

4、SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。SOA失效的预防措施：（1）确保在最差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内。

5、预防措施包括提高栅极驱动电路的阻抗，并在栅极和源极之间并联一个阻尼电阻或稳压器。SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压叠加在MOSFET上，导致瞬时局部发热或热积累，从而导致热击穿。预防措施包括确保所有功率限制条件在SOA限制线以内，并精确细致地设置OCP功能。

6、谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效。体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。

雪崩二极管的基本知识解析

1、雪崩二极管是一种特殊的二极管，它的结构与普通二极管相似，但在材料选择和工艺上有所不同。雪崩二极管的结构使得它能够在反向电压作用下发生雪崩效应，从而实现特定的电特性。

2、雪崩二极管是一种利用雪崩效应工作的二极管。在正向电压下，当二极管中的载流子获得足够的能量时，它们会撞击周围的原子并释放更多的载流子，导致电流的急剧增加，这就是所谓的雪崩效应。这种二极管在高速开关、光检测、高功率脉冲等领域有广泛的应用。雪崩二极管的特性 雪崩二极管具有独特的电学特性。

3、在雪崩击穿中，PN结反向电压增大时，载流子倍增就像雪崩一样迅速增加。利用这个特性制作的二极管称为雪崩二极管。在电场作用下，载流子能量增大并与晶体原子碰撞，形成自由电子-空穴对，新产生的载流子又通过碰撞产生更多对，形成倍增效应。

4、雪崩击穿是一种特殊的物理现象，主要发生在pn结中。当pn结内的少子在强电场作用下获得巨大动能，与结内原子碰撞时，会产生新的电子空穴对。这些新产生的电子空穴对在电场作用下继续撞击其他原子，形成了类似雪崩的连锁反应，因此得名雪崩击穿。这种现象通常发生在掺杂浓度较低且外加电压较大的情况下。

5、雪崩二极管是一种特殊的半导体二极管，它在外加电压作用下能够产生超高频振荡。这种二极管自1958年由美国的W.T.里德提出以来，因其独特的物理特性而得到了广泛的应用。雪崩二极管有多种结构形式，包括里德结构、肖特基结构、高-低-高结构和双漂移结构等，主要使用的材料有硅和砷化镓。

6、雪崩光电二极管（APD）在光探测领域中发挥着关键作用，它是一种光伏探测器元件，主要应用于电信设备。其工作原理在于在硅或锗等材料制成的光电二极管的P-N结上施加反向偏压，使得入射光在P-N结处被吸收，形成光电流。进一步增加反向偏压会产生“雪崩”现象，即光电流迅速增大，因此称为雪崩光电二极管。