pn穿通电压（pnp型电压）
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PN结的正偏和正向导通是一个概念吗?
正向导通是指在正偏的情况下两端电压（电势差）达到或超过pn结的导通电压，形成电流通路，也就是你说的硅管正向导通电压0.7V，而锗管的是0.3V左右。相对于正向到通，pn结还有会反向的导通，就是两断在反偏情况下反偏电压达到或超过一定值时pn结会因击穿而导通。
PN结的正偏和正向导通不是一个概念。PN结的正偏是一种连接方式，正向导通则是在正偏这种连接方式上形成电流通路。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
PN结正向导通时其内外电场方向一致这种说法是错的。PN结的正偏和正向导通不是一个概念。PN结的正偏是一种连接方式，正向导通则是在正偏这种连接方式上形成电流通路。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
PN结是什么?
PN结的平衡态，是指PN结内的温度均匀、稳定，没有外加电场、外加磁场、光照和辐射等外界因素的作用，宏观上达到稳定的平衡状态.\x0d\x0aPN结的形成\x0d\x0a 在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质，分别形成N型半导体和P型半导体。
pn结是指由P型半导体和N型半导体通过接触形成的结构。在pn结中，P型半导体具有正电荷载流子（空穴）的多于负电荷载流子（电子），而N型半导体则相反，负电荷载流子（电子）的数量多于正电荷载流子（空穴）。pn结的基本构成 P型半导体是指通过掺杂少量三价元素（如硼）使半导体获得正电荷载流子（空穴）。
PN结是半导体器件中的基本结构。PN结是半导体中的概念，主要涉及到半导体中的两种不同类型的载流子：带负电的电子和带正电的“空穴”。当这两种类型的半导体结合在一起时，会在交界处形成一个特殊的区域，即PN结。以下是 PN结的基本构成：PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的。
pn结是采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
PN结是半导体器件中的基本结构。PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的。下面详细介绍PN结的概念和特性：PN结的基本定义 PN结是电子器件中广泛使用的一种结构，尤其在半导体器件中。它是由P型半导体和N型半导体接触形成的。在P型半导体中，空穴占主导地位，而在N型半导体中，自由电子占主导地位。
PN结是由P型半导体和N型半导体形成的结构，P型半导体和N型半导体它们彼此扩散，在交接处形成一个极薄的近似无掺杂层，即PN结 拓展：在制造PN结的半导体材料上，先把一块硅片分别进行在表面分别进行P型和N型单向掺杂，这样就形成了一个具有两种不同电性的区域。
关于PN结的问题,请大师来解答!
你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧，没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动，当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合、还有一部分是会到n区的、这一切都发生在耗尽区，耗尽区在pn之间，耗尽区即存在电子又存在空穴，当然n区的电子也类似。
PN结导电性强弱主要取决于P区和N区接触部分的情况，与铜导线没什么关系。你从电路的角度来考虑。一个恒定电路各处的电流是相等的，即便铜导线的电子可以轻易地流入P区，如果载流子无法顺利通过PN结，也无法产生较强的电流。
问题一：动力室外加电场，这冒失与热激发无关吧。不管是N还是P能到导电的原因都是有电场。问题二：这是一个动态平衡的关系，当有扩散的时候由于内建电场的关系，使载流子恢复到以前，所以宏观不是个稳态。
PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。
